点击图片查看原图厦门中芯晶研可提供2",3",4"磷化铟单晶片。
磷化铟(InP）是由铟和磷组成的二元半导体。它具有面心立方(zincblende)晶体结构，与大多数III-V半导体相同。磷化铟用于高功率和高频电子设备，因为它相对于更常见的半导体硅具有优异的电子速度。磷化铟也可用于制造破纪录的假晶异质结双 晶体管，其可以在604GHz下工作。它还具有直接带隙，使其可用于激光二 管等光电器件。
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磷化铟（InP）半导体单晶片
详细信息 厦门中芯晶研可提供2",3",4"磷化铟单晶片。 磷化铟(InP）是由铟和磷组成的二元半导体。它具有面心立方(zincblende)晶体结构，与大多数III-V半导体相同。磷化铟用于高功率和高频电子设备，因为它相对于更常见的半导体硅具有优异的电子速度。磷化铟也可用于制造破纪录的假晶异质结双 晶体管，其可以在604GHz下工作。它还具有直接带隙，使其可用于激光二 管等光电器件。 |